近日，韓國和美國均新增了一個SiC工廠，涉及碳化硅襯底和晶圓制造：
·STI：投資約16.4億在韓國釜山市建立一家新工廠，年產3萬片SiC襯底。
·阿肯色大學：總投資1.3億人民幣，碳化硅研究和制造工廠破土動工。
STI投資超16億
建設6&8吋SiC廠
據(jù)韓媒報道，STI宣布將在釜山市建設一個年產3萬片SiC晶圓的新工廠，以支持韓國車規(guī)SiC的本土供應。
據(jù)介紹，STI 將投資 3000 億韓元（約16.4億人民幣），在釜山功率半導體細分專業(yè)園區(qū)建立SiC材料生產工廠。該項目的一期工程占地超 16000 平方米，預計明年下半年建成。屆時，該項目將年產3萬片 6 英寸碳化硅襯底。
據(jù)介紹，STI 將投資 3000 億韓元（約16.4億人民幣），在釜山功率半導體細分專業(yè)園區(qū)建立SiC材料生產工廠。該項目的一期工程占地超 16000 平方米，預計明年下半年建成。屆時，該項目將年產3萬片 6 英寸碳化硅襯底。
從2025年起，STI將購置11.5萬平方米的土地以擴建8吋線，利用自身設備批量生產8英寸碳化硅晶錠和襯底。
STI成立于1989年，是一家熱處理設備企業(yè)，主要研發(fā)生產光纖基礎材料制造設備和石英玻璃電爐等設備。
除了碳化硅長晶外，該公司具有2項關鍵技術：
·SiC PVT長晶爐
2021年，STI 開發(fā)出用于量產6英寸碳化硅的長晶爐，整個研發(fā)時間為2年時間，同時還透露他們目標是在2021年內開發(fā)出韓國首個8 英寸碳化硅長晶爐。
·碳化硅粉料合成技術
為了生產SiC粉料，STI 開發(fā)了氟化鈣（CaF2）制造設備，并利用高純度二氧化硅（SiO2）開發(fā) SiC 粉末合成技術。據(jù)了解，STI 已經開發(fā)出純度為99.9998%的5N級SiC粉。
據(jù)介紹，該工廠占地 18660 平方英尺，將設有約 8000 平方英尺的潔凈室，用于SiC制造和測試；該設施預計在2025年1月完工，屆時MUSiC將全面啟用。
值得注意的是，MUSiC的首席研究員Alan Mantoth還重點強調了8英寸碳化硅晶圓的開發(fā)工作。
據(jù)了解，該SiC工廠建設計劃于2021年獲得了美國國家科學基金會（NSF）及美國陸軍研究實驗室的支持，獲得了約1800 萬美元（約1.3億人民幣）的資金支持。
