
第三代半導體性能優(yōu)越,應用場景更廣。半導體材料作為電子信息技術發(fā)展的 基礎,經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三代半導體材料逐漸進入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。相較于前兩代材料,碳化硅 具有耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能,廣泛應用于制作高溫、高頻、大功率和 抗輻射電子器件。
碳化硅器件應用場景廣闊。因其高熱導性、高擊穿電場強度及高電流密度,基 于碳化硅材料的半導體器件可應用于汽車、充電設備、便攜式電源、通信設備、機 械臂、飛行器等多個工業(yè)領域。其應用的范圍也在不斷地普及和深化,是一種應用 前景非常廣泛、非常具有價值的材料。

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